Markdown processor memiliki data yang dibutuhkan jauh lebih cepat daripada jika ia mengambil data secara langsung dari SSDs.

Salah satu perbedaan signifikan antara RAM dan flash memory adalah bahwa data harus dihapus dari NAND flash memory dalam blok-blok besar. Hal ini membuatnya lebih lambat dibandingkan dengan RAM, di mana data dapat dihapus dalam bit-bit individual. Namun, NAND flash memory jauh lebih murah daripada RAM dan tidak volatile, sehingga dapat menahan data bahkan ketika daya listrik padam, berbeda dengan RAM.

RAM vs ROM

Memori baca-saja (ROM) adalah memori komputer yang mengandung data yang hanya dapat dibaca, tidak dapat ditulis kecuali untuk penulisan awal. Chip ROM sering digunakan untuk menimpan kode boot-time yang dijalankan setiap kali komputer dinyalakan. Data biasanya tidak dapat diubah atau direprogram.
Data dalam ROM tidak volatile, sehingga tidak hilang ketika daya listrik padam. Oleh karena itu, ROM dapat digunakan untuk penyimpanan data permanen. RAM, sebaliknya, hanya dapat menahan data sementara waktu. Chip ROM komputer biasanya menampung beberapa megabyte penyimpanan, sementara RAM biasanya dapat menampung beberapa gigabyte.

Tren dan arah masa depan

Memori resistive random access (RRAM atau ReRAM) adalah penyimpanan non-volatile yang dapat mengubah resistansi material solid dielectric yang tersusun. Perangkat ReRAM memuat memristor di mana resistansi berbeda ketika voltase yang berbeda diterapkan.
ReRAM menciptakan kekosongan oksigen, yaitu cacat fisik dalam lapisan bahan oksida. Keberadaan ini mewakili dua nilai dalam sistem binary, mirip dengan semiconductor electron dan hole.
ReRAM memiliki kecepatan switching yang lebih tinggi dibanding teknologi penyimpanan non-volatile lainnya, seperti NAND flash. ReRAM juga menawarkan kepadatan penyimpanan yang lebih tinggi dan konsumsi daya yang lebih rendah daripada NAND flash. Hal ini membuat ReRAM menjadi pilihan bagus untuk memori pada sensor digunakan dalam aplikasi industri, otomotif, dan IoT.
Vendor mengalami kesulitan dalam pengembangan teknologi ReRAM dan memproduksi chip. Namun, mereka telah membuat kemajuan lambat tetapi stabil, dan beberapa vendor sekarang mulai mengirimkan perangkat ReRAM.

Arus masa depan

Pada suatu waktu, industri memori telah menempatkan harapan besar pada teknologi penyimpanan kelas storage (SCM) seperti 3D XPoint. 3D XPoint memiliki arkitektur cross-point transistor-less di mana selector dan sel memori berada di persimpangan antara jaringan lurus. 3D XPoint tidak secepat DRAM, tetapi lebih cepat daripada NAND flash dan menawarkan penyimpanan non-volatile.
Namun, hasil signifikan dari usaha ini adalah produk line Optane Intel, yang termasuk SSDs dan modul memori. Harapan adalah bahwa Optane dapat mengisi celah antara RAM dinamis dan NAND flash, menjadi jembatan antara keduanya.
Dalam hal prestasi dan harga, Optane positioning itself somewhere between fast, but expensive DRAM and slower, less expensive NAND flash. Sayangnya, teknologi tidak pernah menjadi populer dan perusahaan telah menghentikan upaya pengembangan Optane. Masa depan Optane dan teknologi SCM yang serupa tetap ambigius.

Meningkatkan kinerja dengan LPDDR5

Pada bulan Februari 2019, Asosiasi Teknologi Solid State (JEDEC) telah menerbitkan standar JESD209-5, Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5). LPDDR5 memori menjanjikan data transfer rate hingga 6400 mega transfers per second (MT/s), 50% lebih tinggi daripada versi pertama LPDDR4 yang memiliki clock speed 3200 MT/s.
Pada bulan Juli 2019, Samsung Electronics mulai menghasilkan produksi massa industry's first 12 Gb LPDDR5 mobile DRAM. Menurut Samsung, DRAM tersebut telah dikoordinasikan untuk memungkinkan fitur 5G dan AI pada smartphone masa depan. Sejak itu, beberapa vendor lainnya telah mengeluarkan perangkat LPDDR5.

Harga

LPDDR5 memori menawarkan kecepatan data transfer yang lebih tinggi dan konsumsi daya yang lebih rendah daripada generasi sebelumnya. Hal ini membuatnya sangat sesuai untuk aplikasi yang memerlukan performa tinggi, seperti game, video editing, dan simulasinya.

Kesimpulan

Dalam artikel ini, kita telah membahas perbedaan antara RAM dan flash memory, serta trend masa depan dalam pengembangan teknologi penyimpanan. Dengan hadirnya LPDDR5 memori, aplikasi yang memerlukan performa tinggi dapat menikmati kinerja yang lebih cepat dan efisiensi daya yang lebih baik.