Samsung's Breakthrough in NAND Flash Technology: Mass Production of 9th-Gen V-NAND

Samsung’s Breakthrough in NAND Flash Technology: Mass Production of 9th-Gen V-NAND

Saya sangat senang melihat perkembangan teknologi NAND flash oleh Samsung Electronics. Perusahaan telah memulai produksi massal untuk generasi ke-9 V-NAND (vertical NAND) dengan density bit yang lebih tinggi dan struktur channel hole etching yang maju.

Dalam pengumuman ini, Samsung menjelaskan bahwa 9th-gen V-NAND memiliki density bit yang lebih tinggi sekitar 50% dibandingkan dengan generasi sebelumnya. Produk ini juga dilengkapi dengan interface NAND flash yang lebih cepat dan efisiensi daya yang lebih baik.

Produktivitas V-NAND dikembangkan melalui teknologi channel hole etching yang maju, yang memungkinkan Samsung untuk meningkatkan jumlah layer sel di dalam produk. Selain itu, teknologi ini juga memungkinkan Samsung untuk mengurangi area planar dari memory cells.

Saya sangat yakin bahwa produk ini akan menjadi solusi optimal untuk aplikasi-aplikasi masa depan yang memerlukan kinerja tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik. Selain itu, produk ini juga dijamin original, siap dipesan, dan tersedia dalam berbagai varian.

Jika Anda ingin tahu lebih lanjut tentang produk ini atau memiliki pertanyaan, silakan hubungi kami melalui fitur "Diskusi Produk" di Tokopedia. Kami siap membantu Anda dengan segala kebutuhan Anda.

Informasi Lebih Lanjut & FAQ: www.tokopedia.com/daslivia/note/513615/kepuasan-anda-adalah-hal-yang-terpenting-bagi-kami-klik-untuk-informasi-d

NB: 1. Hubungi kami via fitur "Diskusi Produk'' Tokopedia untuk respons tercepat 😀
2. Cantumkan permintaan seperti: Warna, Jenis, Packing, Waktu, Dll di kolom keterangan pembelian. Jika tidak ada permintaan pada invoice, kami yang akan membantu menentukan yah 😀
3. Kami merupakan Master Dealer Resmi, seluruh produk kami dijamin Original, Ready & Siap Dipesan.- More Info & FAQs: www.tokopedia.com/daslivia/note/513615/kepuasan-anda-adalah-hal-yang-terpenting-bagi-kami-klik-untuk-informasi-d

Leave a comment